国开电大光伏电池材料第二次形考任务答案

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第二次形考任务答案.doc

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题目:()是生产太阳能级硅材料的主要技术。: 冶金法; 二氧化硅高纯试剂还原法; 改良西门子法; 四氯化硅金属还原法
题目:代号2205的工业硅,其中铁、铝、钙三种杂质的含量分别是()。: 0.20%、0.20%、0.05%; 以上都不对; 0.20%、0.05%、0.20%; 0.05%、0.20%、0.20%
题目:对比传统西门子法,改良西门子法的优点,错误的是()。: 节约时间; 节能; 降低物耗; 减少污染
题目:改良西门子法所采用的提纯工艺是()。: 吸附; 精馏; 区域提纯; 物理提纯法
题目:工业硅加工产品的附加值最高的是()。: 有机硅生产; 生产合金; 生产光纤、多晶硅、单晶硅等通讯、半导体器件和太阳能电池; 以上皆不是
题目:关于采用区域提纯法去除硅中硼杂的区域提纯杂质描述正确的是(): 取决于温度效果显著; 取决于硼的含量; 效果一般完全去除; 几乎无法效果去除
题目:关于分子筛说法错误的是()。: 也叫合成沸石; 分子筛晶体内有许多孔径均匀的孔道和排列整齐的孔穴,提供了大量的比表面; 具有极性; 对非极性分子具有较强的亲和力
"题目:硅石和还原剂在低于1500℃时,发生的反应是()。
: SiO2+3C=SiC+2CO↑
; 无化学反应,仅为预热
; SiO2+2SiC=3Si+2CO↑
; 2SiO2+SiC=3SiOuarr;+CO↑"
题目:金刚石结构的晶体中位错滑移最容易产生的滑移面是()。: {111}面; {110}面; {100}面; {101}面
题目:晶体生长过程中产生的缺陷称为()。: 原生长缺陷; 二次缺陷; 点缺陷; 诱生缺陷
题目:区熔法制备单晶硅时,需要()。: 需要一个石英坩埚用于溶化; 需要一个石英坩埚和一个石墨坩埚; 不需要坩埚; 需要一个石墨坩埚
题目:生产直拉单晶硅生产时,单晶炉内需要通入()作为保护气体炉体内通常是()。: 氧气低压的空气; 低压的氮气氢气; 低压的氩气; 常压的空气
题目:太阳电池用直拉单晶硅中的主要缺陷是()。: 杂质原子; 位错; 空位; 二次缺陷
题目:微电子工业和单晶硅太阳电池的生产的特点在于()。: 前者主要采用FZ硅,而后者主要采用CZ硅; 两者可以采用同样的高纯多晶硅作为原料; 后者采用直拉法或区熔法单晶硅,而前者不是; 从高纯多晶硅转化成单晶硅的步骤都非常重要
题目:吸附时不发生任何化学变化,是()。: 物理吸附; 以上皆不是; 化学吸附; 不可逆过程
题目:在工业硅的生产炉中,温度在2000℃以上的部分,()。: 只有熔炼过程中生成的SiC; 底下是SiC,其上面是产品工业硅; 全部都是产品工业硅; 以上皆不是
题目:占据晶格间隙位置的杂质原子为()。: 原生长缺陷; 替位杂质原子; 本征点缺陷; 间隙杂质原子
题目:CZ法生长单晶硅工艺依次有加料、熔化以及()。: 缩颈生长、等径生长、放肩生长、尾部生长; 缩颈生长、放肩生长、等径生长、尾部生长; 等径生长、缩颈生长、放肩生长、尾部生长; 放肩生长、缩颈生长、等径生长、尾部生长
题目:Dash工艺主要解决的是()。: 热应力; 减少缺陷(位错); 加入转晶; 放肩
题目:大热场的石墨坩埚往往被做成两瓣或三瓣式的原因在于()。: 方便安装; 防止石墨坩埚被膨胀的石英坩埚撑破; 吸收剩余的熔硅凝固时体积增大而造成的应力,从而减少漏硅的危险; 降低成本
题目:工业硅生产过程中,要注意的是()。: 通过选择合理的炉子结构参数和电气参数,保证反应区有足够高的温度; 及时捣炉,帮助沉料; 保持料层有良好的透气性,及时排除反应生成的气体; 及时调整配料比,保持适宜的SiO2与碳的分子比
题目:工业吸附对于吸附剂的要求包括()。: 具有较大的内表面,吸附容量大; 具有一定的机械强度,抗磨损; 有良好的物理及化学性能,耐热冲击,耐腐蚀; 选择性高
题目:关于对czCZ法和fzFZ法说法描述正确的是()。: 生长时都需借助要采用籽晶; 都需要采用真空气氛保护; 都需要使用缩颈工艺; 熔化时都需要采用坩埚
题目:关于硅粉与氯化氢合成三氯氢硅的生产工艺说法正确的是()。: 放热反应; 吸热反应; 温度升高后反而将影响产品收率; 要加热到所需温度才能进行
题目:关于晶转说法正确的是()。: 过高的晶转会使固液界的形状太凹; 在某些晶转下,棱线或者小平面与直径的读取同步,引起直径的读值和拉速的大幅度跳动; 晶体和坩埚的旋转方向相同,以改善热场的对称性; 吊索和晶体出现共振时效果最好
题目:关于完全互溶的A、B双组分的溶液与其混合蒸汽所组成的相图,说法正确的是()。: 被两条曲线分为三个区域; 升温到气相线上,正好产生第一个气泡,故气相线又称为泡点曲线; 降温到液相线,产生第一个液滴,故液相线称为露点曲线; 降温到液相线上,正好产生第一个气泡,故液相线又称为泡点曲线
题目:关于SiO说法正确的是()。: SiO很容易发生化学反应; 温度高于1500℃,由SiO2和SiC反应得到; 能在1500℃与C发生反应; 能与氧气发生反应
题目:硅烷法的特点是()。: 不需用氢还原,甲硅烷可以热分解为多晶硅; 硅烷气体易于用吸附法提纯; 易于分解为非晶硅; 硅烷易爆炸
题目:化学法提纯高纯多晶硅的工艺包括()。: 中间化合物的分离提纯; 中间化合物的合成; 中间产物被还原或者是分解成高纯硅还原成高纯硅; 区域提纯
题目:晶体中点缺陷浓度是()效应共同作用的结果。: 点缺陷的产生; 点缺陷分解; 点缺陷的复合; 点缺陷的扩散
"题目:具有金刚石结构的的晶体中的解理面包括位错线的优先方向为()。
: {211}〈211〉晶面族晶向
; {100}<110>晶向晶面族
; 〈210〉晶向{110}晶面族
; {111}晶面族〈111〉晶向"
题目:磷在硅中很容易去除,在于()。: 磷的密度小; 磷在硅中的分配系数小于1; 磷在硅熔液中很快得到蒸发; 磷的熔点低
题目:石墨坩埚的寿命取决于()。: 石墨坩埚的形状; 在晶体生长过程中的受热程度; 承受的重量; 石墨的材质
题目:位错影响说法正确的是()。: 刃型位错也可能作为一排受主; 位错作为一个线电荷和空间电荷圆柱成为复合中心; 位错能够改变载流子浓度; 刃性位错作为一排施主中心向导带提供电子
题目:无坩埚区域提纯()。: 也可用于晶体生长; 硅也能采用水平区域提纯法; 避免了坩埚的污染; 熔硅不会流动是由于其很大的表面张力
题目:以下对吸附描述正确的是升温和降压有助于()。: 升温对于物理吸附影响很小化学吸附是可逆的; 化学吸附是不可逆的降压只是让水蒸气更容易挥发; 物理.吸附的进行吸附是可逆的; 脱咐的进行物理吸附是不可逆的
题目:由于跟FZ技术相比,CZ法具有()。: 通过晶转和锅转控制晶体-熔体边界层能较好的控制径向掺杂均匀度; 熔体稳定; 晶体直径大; 对多晶形状要求低
题目:直拉单晶炉的主室包括()。: 热绝缘筒和地盘; 石墨加热器; 石墨坩埚; 石英坩埚
题目:CZ法产生位错的环节和方式有()。: 籽晶中的位错延伸、增殖; 晶体表面存在温度梯度,产生很强的热应力; 籽晶表面损伤、机械磨损裂痕; 单晶冷却时,晶体表面和中心由于收缩率不同产生很大的应力
题目:闭路循环系统是指生产中的各种物料得到充分的利用,排出的废料极少。
题目:从安全性的角度考虑,改良西门子法优于硅烷法。
题目:单位长度位错线的能量正比于柏格斯矢量长度。
题目:对于一次熔化来说,正常凝固的提纯效果不如区域提纯的效果好。
题目:分子筛具有极性,对非极性分子具有较强的亲和力。
题目:改良西门子法的原料主要是硅石。
题目:改良西门子法能对产生的氢气、氯化氢、氯硅烷等副产物进行回收利用。
题目:改良西门子法是一个闭路循环系统,多晶硅生产中的各种无聊得到充分的利用,排出的废料极少。
题目:硅是自然界分布最广泛的元素之一,是介于金属和非金属之间的半金属。
题目:化学提纯时,中间化合物提纯到所需要的纯度后,在后续的还原工艺要求不需要很高。
题目:化学吸附是放热过程,而物理吸附是吸热过程。
题目:甲硅烷常温下为气体,室温下就容易分解。
题目:精馏是实现多级部分汽化和多级部分冷凝的实用技术。
题目:冶金法制备高纯多晶硅与改良西门子法相比,前者的成本更低,但是电耗更多。
题目:由于能量的原因,晶体中空位和自间隙原子在一定温度下的平衡浓度是一定的。
题目:只通过湿法冶金技术来提纯硅材料,是很难将工业硅提纯到满足制作太阳能电池所需的要求。
题目:CZ和FZ均采用感应线圈进行加热。
题目:FZ硅占领了85%以上的硅单晶市场。
题目:MCZ法磁致粘滞性控制了流体的运动,也减少了熔体的温度波动。
题目:SiH4不能采用精馏技术进行提纯
"题目:将工业硅的应用与用量一一对应。
(1)生产合金 一一[[3]]
(2)有机硅 一一[[2]]
(3)半导体器件和太阳能电池 一一[[1]]
; [[1]] -> {A. 5% / B. 40% / C. 55%}"
"题目:将工业硅生产过程中的注意事项与作用一一对应。
(1)保持适宜的SiO2与碳的分子比 一一[[3]]
(2)保证反应区有足够高的温度 一一[[2]]
(3)及时捣炉,帮助沉料 一一[[1]]
; [[1]] -> {A. 避免炉内过热造成硅的挥发或再氧化生成SiO / B. 分解生成的SiC使反应向有利于生成硅的方向进行 / C. 防止过多的SiC生成}"
"题目:将工艺与提纯方法一一对应。
(1)硅烷法 一一[[2]]
(2)改良西门子法 一一[[1]]
(3)冶金 一一[[3]]
; [[1]] -> {A. 精馏 / B. 吸附 / C. 物理提纯}"
"题目:将硅中的微小的缺陷与描述一一对应。
(1)红外散射缺陷(LSTDs)一一[[3]]
(2)流水花样缺陷(FPDs)一一[[2]]
(3)晶体原生颗粒缺陷(COPs)一一[[1]]
; [[1]] -> {A. 随着拉速的增加而增加 / B. 过饱和空位凝聚而成的空位团 / C. 拉速越慢,LSTDs密度越低}"
"题目:将化学反应与作用一一对应。
(1)SiHCl3+H2→Si+3HCl     一一    [[3]]
(2)Si+3HCl→SiHCl3+H2     一一    [[1]]
(3)3SiO2+2SiC=Si+4SiO↑+2CO↑     一一    [[2]]
; [[1]] -> {A. 中间产物的合成 / B. 工业硅的合成 / C. 中间产物的还原}"
"题目:将吸附的设备与工艺一一对应。
(1)流体和固体吸附剂置于同一容器内 一一[[3]]
(2)固定吸附床 一一[[1]]
(3)移动吸附器 一一[[2]]
; [[1]] -> {A. 半连续操 / B. 连续操作 / C. 间歇操作}"
"题目:将氧的存在方式及其描述一一对应。
(1)热施主 一一[[2]]
(2)新施主 一一[[1]]
(3)氧沉淀 一一[[3]]
; [[1]] -> {A. 热处理温度处于550~850℃ / B. 处理温度处于300~500℃ / C. 适当的温度下进行热处理时会脱溶}"
"题目:将元素及其在硅熔体中的分凝系数一一对应。
(1)O 一一[[1]]
(2)C 一一[[2]]
(3)B 一一[[3]]
; [[1]] -> {A. 1.25 / B. 0.07 / C. 0.8}"
"题目:将Cz法中的工艺与描述一一对应。
(1)缩颈生长 一一[[1]]
(2)放肩生长 一一[[3]]
(3)等径生长 一一[[2]]
; [[1]] -> {A. 减少位错 / B. 硅片取材的部位 / C. 肩部夹角接近180°,这样可以提高多晶硅的利用率}"
"题目:将Cz法中的设备与描述一一对应。
(1)石英坩埚 一一[[3]]
(2)石墨坩埚 一一[[1]]
(3)石墨加热器 一一[[2]]
; [[1]] -> {A. 底部比较厚,以起到较好的绝热效果 / B. 电阻会随着使用次数的增加而升高 / C. 纯度和耐热性能要求很搞}"
"题目:将FZ单晶硅中的杂质与描述一一对应。
(1)O 一一[[1]]
(2)C 一一[[2]]
(3)N 一一[[3]]
; [[1]] -> {A. 危害大 / B. 浓度低,影响小 / C. 增强机械性能}"
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